VXI - информационно-измерительные технологии 
 
 
Практикум инженера Инженерные разработки Материалы и вещества Экология  

Стандарт VXI Что такое стандарт VXI? История стандарта VXI VXI в России Стоимость систем Тенденции рынка Технические средства Шина VXIbus Типы модулей Базовые конфигурации Характеристики VXIbus VXI и PXI Программирование Программные средства LabWindows/CVI LabVIEW VXI & Linux Measurement Studio Области применения Авиация и космос Телекоммуникации Нефть и газ Библиотека Публикации Документация Книги и статьи Кто есть кто Производители Поставщики, интеграторы Ассоциации и альянсы
 


Помехи от неидеальности характеристик компонентов электронных схем: Резистор

Резисторы обычно составляют 30-40% от общего числа элементов электронной аппаратуры. Резисторы выпускаются на определенную номинальную мощность рассеяния, которая выбирается, исходя из допустимого превышения температуры сопротивления над температурой окружающей среды. Мощность, рассеиваемая в резисторе, всегда должна быть меньше номинальной. При повышенной температуре окружающей среды, необходимо снижать значение допустимой мощности рассеивания.

Резисторы всех типов являются источниками напряжения шумов, так называемые собственные шумы резисторов. Этот шум обусловлен тепловым, дробовым и контактным шумом.

Одним из важных факторов, влияющих на шумы резистора является его номинальная мощность рассеяния. Если два резистора одного типа с равной величиной сопротивления рассеивают одинаковую мощность, то резистор с большей номинальной мощностью рассеяния будет иметь меньше шумов, то есть среднеквадратичное напряжение у резистора 0,5 Вт больше, чем у резистора 2 Вт, работающего при тех же условиях, примерно в 3 раза. При частотном анализе электронных схем пользуются эквивалентной схемой резистора.

Эквивалентная схема резистора представляет собой последовательное соединение: сопротивлений переходного контакта между проводящим слоем и металлическим выводом – Rк, Основного сопротивления проводящего слоя – Rп, индуктивностей выводов – Lв, собственной индуктивности – Lc (для проволочных резисторов или имеющих нарезку), изоляции и защитного покрытия – Ru, паразитной емкостью – Co.

Для большинства типов резисторов (кроме проволочных или имеющих нарезку проводящего слоя) обычно выполняется условие Lв >> Lc, поэтому на практике часто пользуются упрощенной эквивалентной схемой.

Для большинства резисторов мунтирующая емкость имеет значение порядка единицы пикофарад. Эта емкость существенна для высокоомных резисторов. Если такой резистор использовать на высоких частотах, то емкостное сопротивление может составить до 10% активного сопротивления (номинала), что уже сильно влияет на характеристики схемы.

Величина индуктивности имеет порядок сотых долей микрогенри, она определяется в основном выводами, за исключением проволочных резисторов, у которых основной вклад в индуктивность вносит сам резистор. Индуктивность резистора делает его чувствительным к наводкам от внешних магнитных полей.

  • Главная   • Практикум инженера   • Помехи от неидеальности характеристик компонентов электронных схем   • Помехи от неидеальности характеристик - Резистор  


Практикум инженераВиды помех и способы их описанияТиповые сигналы помехи и причины их возникновенияЭлектромагнитные помехи и их классификацияСобственные шумы компонентов электронных схемИсточники индустриальных электромагнитных помехЭлектрическое поле ЗемлиСовместимость ИВК с человеком – операторомСтатическое электричество. Воздействие оператора на электроникуЗаземление - требования нормативовЗаземление приборовПомехи от неидеальности характеристик компонентов электронных схемЗависимость компонентов ИВК от электрического воздействияЭлектромагнитные поля и жизнедеятельность биоорганизмовМетоды помехозащищенности ИВК

Инженерные разработки

Материалы и вещества

Экология

Занимательные истории

 
© Информационно-измерительные технологии VXI, 2000-2017.
Технические и программные средства создания контрольных, управляющих, измерительных комплексов. Автоматизация научных измерений и исследований, промышленная автоматизация. Практическая инженерия, технические инновации.
контакты
карта сайта